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CY7C2563XV18-633BZC

CY7C2563XV18-633BZC

数据手册.pdf

72兆位QDR® II的Xtreme SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II Xtreme SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT

SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 72Mb(4M x 18) 并联 165-FBGA(13x15)


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CY7C2563XV18-633BZC


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CY7C2563XV18-633BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

CY7C2563XV18-633BZC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CY7C2563XV18-633BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72兆位QDR® II的Xtreme SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II Xtreme SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C2563XV18-633BZC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

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