C2012JB1V475M125AC
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
C2012JB1V475M125AC中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 35.0 V
电容 4.7 µF
容差 ±20 %
额定电压 35 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 2012
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 2012
厚度 1.25 mm
物理参数
材质 -B/-25℃~+85℃
介质材料 Ceramic Multilayer
工作温度 -25℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
制造应用 通用, Commercial Grade
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
C2012JB1V475M125AC引脚图与封装图 
C2012JB1V475M125AC引脚图
C2012JB1V475M125AC封装图
C2012JB1V475M125AC封装焊盘图
在线购买C2012JB1V475M125AC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C2012JB1V475M125AC | TDK 东电化 | 0805 4.7uF ±20% 35V -B | 搜索库存 |
替代型号C2012JB1V475M125AC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C2012JB1V475M125AC 品牌： TDK 东电化 封装： 2012 4.7uF 20per 35V | 当前型号 | 0805 4.7uF ±20% 35V -B | 当前型号 |
| 型号： C2012JB1H475K125AB 品牌： 东电化 封装： 2012 4.7uF 50V 10per | 功能相似 | 0805 4.7uF ±10% 50V -B | C2012JB1V475M125AC和C2012JB1H475K125AB的区别 |
| 型号： C2012JB1H475M125AB 品牌： 东电化 封装： 2012 4.7uF 50V 20per | 功能相似 | 0805 4.7uF ±20% 50V -B | C2012JB1V475M125AC和C2012JB1H475M125AB的区别 |
| 型号： C2012JB1V475K125AC 品牌： 东电化 封装： 2012 4.7uF 35V 10per | 功能相似 | 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 0805 35V 4.7uF JB 10% T: 1.25mm | C2012JB1V475M125AC和C2012JB1V475K125AC的区别 |