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BCX41TA
Diodes(美台) 分立器件

BCX41TA 编带

Do you require a transistor in your circuit operating in the high-voltage range? This NPN general purpose bipolar junction transistor, developed by Zetex, is your solution. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 330 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 125 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

BCX41TA中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.33 W

击穿电压集电极-发射极 125 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 25 @100µA, 1V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCX41TA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCX41TA Diodes 美台 BCX41TA 编带 搜索库存
替代型号BCX41TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCX41TA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT23 NPN 330mW

当前型号

BCX41TA 编带

当前型号

型号: BCX41E6327HTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 NPN 125V 800mA 330mW

功能相似

Infineon BCX41E6327HTSA1 , NPN 双极晶体管, 800mA, Vce=125 V, HFE:63, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装

BCX41TA和BCX41E6327HTSA1的区别