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BC857BT-7-F

BC857BT-7-F

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Diodes(美台) 分立器件

DIODES INC.  BC857BT-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 290 hFE

Design various electronic circuits with this versatile PNP GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

BC857BT-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 290

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, 国防, 电源管理, 工业, 军用与航空

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC857BT-7-F引脚图与封装图
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在线购买BC857BT-7-F
型号 制造商 描述 购买
BC857BT-7-F Diodes 美台 DIODES INC.  BC857BT-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 290 hFE 搜索库存
替代型号BC857BT-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BC857BT-7-F

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-523 PNP 50V 100mA 150mW

当前型号

DIODES INC.  BC857BT-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 290 hFE

当前型号

型号： BC857BT-7

品牌： 美台

封装： SOT-523 PNP 50V 100mA

完全替代

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP BIPOLAR

BC857BT-7-F和BC857BT-7的区别