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BFS17NTA
Diodes(美台) 分立器件

BFS17N 系列 11 V 50 mA NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-23-3

Compared to other transistors, the RF bi-polar junction transistor, developed by Zetex, can properly function in the event of high radio frequency power situations. This product"s minimum DC current gain is 56@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.5@5mA@25mA V. This RF transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

BFS17NTA中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 11 V

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 10V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.98 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFS17NTA引脚图与封装图
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在线购买BFS17NTA
型号 制造商 描述 购买
BFS17NTA Diodes 美台 BFS17N 系列 11 V 50 mA NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-23-3 搜索库存
替代型号BFS17NTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFS17NTA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23-3 350mW

当前型号

BFS17N 系列 11 V 50 mA NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-23-3

当前型号

型号: BFS17HTA

品牌: 美台

封装: SOT-23 15V 25mA 330mW

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