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BSS84DW-7
Diodes(美台) 分立器件

BSS84DW-7 P沟道MOS场效应管 -50V -130mA 6ohm SOT-363 marking/标记 84P 快速开关 低开启电压

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 50V 130mA 300mW 表面贴装型 SOT-363


得捷:
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


BSS84DW-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -130 mA

漏源极电阻 6.00 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 300 mW

漏源极电压Vds 50 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 0.13A

输入电容Ciss 45pF @25VVds

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

BSS84DW-7引脚图与封装图
BSS84DW-7引脚图

BSS84DW-7引脚图

BSS84DW-7封装图

BSS84DW-7封装图

BSS84DW-7封装焊盘图

BSS84DW-7封装焊盘图

在线购买BSS84DW-7
型号 制造商 描述 购买
BSS84DW-7 Diodes 美台 BSS84DW-7 P沟道MOS场效应管 -50V -130mA 6ohm SOT-363 marking/标记 84P 快速开关 低开启电压 搜索库存
替代型号BSS84DW-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSS84DW-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-363 P-Channel 50V 0.13A 6Ω

当前型号

BSS84DW-7 P沟道MOS场效应管 -50V -130mA 6ohm SOT-363 marking/标记 84P 快速开关 低开启电压

当前型号

型号: BSS84DW-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-363 P-Channel 50V 130mA 6Ω

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封装:

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