BSS8402DW-7

Diodes(美台) 分立器件

Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6Pin SOT-363 T/R

Mosfet Array N and P-Channel 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363

得捷:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

BSS8402DW-7中文资料参数规格

技术参数

额定电流 115 mA

漏源极电阻 3.20 Ω, 10.0 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 60V, 50V

漏源击穿电压 ±70.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 115 mA, -130 mA

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

BSS8402DW-7引脚图与封装图

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在线购买BSS8402DW-7

型号	制造商	描述	购买
BSS8402DW-7	Diodes 美台	Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6Pin SOT-363 T/R	搜索库存

替代型号BSS8402DW-7

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BSS8402DW-7 品牌： Diodes 美台封装： SOT-363 N-Channel 60V 115mA 3.2Ω	当前型号	Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive 6Pin SOT-363 T/R	当前型号
型号： BSS8402DWQ-7 品牌：美台封装： SOT-363 N+P 60V 50V 0.115A 0.13A	类似代替	P沟道 50V 130mA	BSS8402DW-7和BSS8402DWQ-7的区别
型号： BSS8402DW-13-F 品牌：美台封装： SOT-363 N+P 60V 50V 0.115A 0.13A	类似代替	P沟道 50V 130mA	BSS8402DW-7和BSS8402DW-13-F的区别
型号： BSS8402DW-7-F 品牌：美台封装： SOT-363 N-Channel 60V 130mA 4.4Ω	功能相似	BSS8402DW 系列 60 V 13.5 Ohm N和P 沟道增强模式 MosFet - SOT-363	BSS8402DW-7和BSS8402DW-7-F的区别