BSS119 L6433
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Infineon
英飞凌
分立器件
BSS119 L6433中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 6000 mΩ
耗散功率 360 mW
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 3.1 ns
输入电容Ciss 78pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 3.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSS119 L6433引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS119 L6433 | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |