额定电压DC -60.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC638G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 PNP -60V -500mA | 当前型号 | TO-92 PNP 60V 0.5A | 当前型号 | |
型号: BC33725TA 品牌: 安森美 封装: TO-92 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC33725TA , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | BC638G和BC33725TA的区别 | |
型号: BC337-40 品牌: Diotec Semiconductor 封装: TO-92 | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW Automotive 3Pin TO-92 Ammo | BC638G和BC337-40的区别 | |
型号: BC337-25 品牌: Diotec Semiconductor 封装: TO-92 | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW Automotive 3Pin TO-92 Ammo | BC638G和BC337-25的区别 |