BC857CLT1

ON Semiconductor(安森美) 分立器件

通用晶体管 General Purpose Transistors

- 双极 BJT - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 50V PNP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

BC857CLT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BC857CLT1引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
BC857CLT1	ON Semiconductor 安森美	通用晶体管 General Purpose Transistors	搜索库存

替代型号BC857CLT1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BC857CLT1 品牌： ON Semiconductor 安森美封装： SOT-23 PNP -45V -100mA	当前型号	通用晶体管 General Purpose Transistors	当前型号
型号： BC857CLT1G 品牌：安森美封装： SOT-23 PNP -45V -100mA 300mW	类似代替	ON SEMICONDUCTOR BC857CLT1G 单晶体管双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFE	BC857CLT1和BC857CLT1G的区别
型号： BC857CLT3G 品牌：安森美封装： SOT-23-3 PNP 300mW	类似代替	通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon	BC857CLT1和BC857CLT3G的区别
型号： BC857C-7-F 品牌：美台封装： SOT-23-3 PNP 45V 100mA 350mW	功能相似	DIODES INC. BC857C-7-F 单晶体管双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE	BC857CLT1和BC857C-7-F的区别