BD433
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ST Microelectronics
意法半导体
分立器件
BD433中文资料参数规格
技术参数
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 36000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 SOT-32
外形尺寸
封装 SOT-32
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube, Rail
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
BD433引脚图与封装图 
BD433引脚图
BD433封装图
BD433封装焊盘图
在线购买BD433
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD433 | ST Microelectronics 意法半导体 | 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号BD433
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD433 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SIP | 当前型号 | 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | 当前型号 |
| 型号： BD437 品牌： 意法半导体 封装： TO-126 NPN 36000mW | 完全替代 | NPN 功率晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。 | BD433和BD437的区别 |
| 型号： BD435 品牌： Continental Device 封装： | 功能相似 | 36W Switching NPN Plastic Leaded Transistor. 32V Vceo, 4A Ic, 50 hFE. | BD433和BD435的区别 |