BCY59X中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 42.0 V
额定电流 100 mA
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
额定功率Max 390 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 390 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
封装 TO-18
物理参数
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCY59X引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BCY59X
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCY59X 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-18 42V 100mA | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 3Pin TO-18 | 当前型号 |
| 型号： BCY59XLEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-18 NPN 45V 0.2A | BCY59X和BCY59XLEADFREE的区别 |