BC850CLT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC850CLT1引脚图与封装图
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在线购买BC850CLT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC850CLT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC850CLT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC850CLT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 100mA | 当前型号 | 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC850CLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BC850CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 800 hFE | BC850CLT1和BC850CLT1G的区别 |