BU810中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 7.00 A
额定功率 75 W
极性 NPN
耗散功率 75000 mW
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 7A
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 75000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BU810引脚图与封装图
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在线购买BU810
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BU810 | ST Microelectronics 意法半导体 | 中压NPN FAST -Switching达林顿晶体管 MEDIUM VOLTAGE NPN FAST-SWITCHING DARLINGTON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号BU810
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BU810 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 NPN 400V 7A 75000mW | 当前型号 | 中压NPN FAST -Switching达林顿晶体管 MEDIUM VOLTAGE NPN FAST-SWITCHING DARLINGTON TRANSISTOR | 当前型号 |
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| 型号： KSE5742 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 400V 8A 80000mW | 功能相似 | 高压功率开关在电感电路 High Voltage Power Switching In Inductive Circuits | BU810和KSE5742的区别 |
| 型号： KSD5018 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 NPN 275V 4A 40000mW | 功能相似 | 内置电阻器的B -E的电机驱动 Built-in Resistor at B-E for Motor Drive | BU810和KSD5018的区别 |