BSC889N03MSGATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

TDSON N-CH 30V 12A

N-Channel 30V 12A Ta 44A Tc 2.5W Ta, 28W Tc Surface Mount PG-TDSON-8-1

得捷:
MOSFET N-CH 30V 12A 44A TDSON

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8

BSC889N03MSGATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 28W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 12A

输入电容Ciss 1500pF @15VVds

额定功率Max 28 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 28W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-TDSON-8-1

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSC889N03MSGATMA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BSC889N03MSGATMA1

型号	制造商	描述	购买
BSC889N03MSGATMA1	Infineon 英飞凌	TDSON N-CH 30V 12A	搜索库存