BSZ014NE2LS5IFATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定功率 69 W
极性 N-CH
耗散功率 2100 mW
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 31A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1600pF @12VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON-8-FL
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TSDSON-8-FL
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 and, E-fuse, Single-phase and multiphase POL, High power density voltage regulator, Or-ing, CPU/GPU VR in notebooks
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon 英飞凌 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 搜索库存 |