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BSC320N20NS3GATMA1

BSC320N20NS3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSC320N20NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 200 V, 0.027 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC320N20NS3GATMA1, 36 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装


得捷:
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 36 A, 0.027 ohm, TDSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R


Newark:
# INFINEON  BSC320N20NS3GATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 36 A, 200 V, 0.027 ohm, 10 V, 3 V


BSC320N20NS3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 125 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

输入电容 1770 pF

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 36A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1770pF @100VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 6.1 mm

高度 1.1 mm

封装 TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, 工业, 照明, Audio, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters, 发光二极管照明, Industrial, LED Lighting, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSC320N20NS3GATMA1引脚图与封装图
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BSC320N20NS3GATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSC320N20NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 200 V, 0.027 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存