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BSC028N06LS3GATMA1

BSC028N06LS3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSC028N06LS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS

优化技术，用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道，逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


得捷:
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3GATMA1, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R


Newark:
# INFINEON  BSC028N06LS3GATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8


BSC028N06LS3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 139 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 139 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 23A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 13000pF @30VVds

额定功率Max 139 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 139W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.35 mm

宽度 6.1 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Alternative Energy, Isolated DC-DC converters, Industrial, Synchronous rectification, 电源管理, Or-ing switches, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 替代能源

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSC028N06LS3GATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSC028N06LS3GATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSC028N06LS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V 搜索库存
替代型号BSC028N06LS3GATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BSC028N06LS3GATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 60V 23A

当前型号

INFINEON  BSC028N06LS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V

当前型号

型号： BSC034N06NSATMA1

品牌： 英飞凌

封装： TDSON-8 N-CH 60V 100A

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.8 V

BSC028N06LS3GATMA1和BSC034N06NSATMA1的区别

型号： CSD18532Q5B

品牌： 德州仪器

封装： 8-PowerTDFN N-Channel 60V 100A

功能相似

60V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET

BSC028N06LS3GATMA1和CSD18532Q5B的区别

型号： FDMS86500L

品牌： 飞兆/仙童

封装： Power N-Channel 60V 25A

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86500L  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.8 V

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