通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 211 W
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 108A
输入电容Ciss 4633pF @25VVds
额定功率Max 211 W
耗散功率Max 211W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
宽度 9.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BUK9609-55A,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 55V 108A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BUK9609-55A,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-263-3 N-CH 55V 108A | 当前型号 | D2PAK N-CH 55V 108A | 当前型号 | |
型号: BUK9609-55A 品牌: 恩智浦 封装: D2PAK N-CH 55V 108A | 类似代替 | 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FET | BUK9609-55A,118和BUK9609-55A的区别 | |
型号: STB60N55F3 品牌: 意法半导体 封装: TO-263-3 N-Channel 55V 56A 8.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | BUK9609-55A,118和STB60N55F3的区别 |