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BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSC016N06NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V

OptiMOS™5 功率 MOSFET


欧时:
Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET BSC016N06NSATMA1, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装


得捷:
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON


贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R


Newark:
# INFINEON  BSC016N06NSATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP


BSC016N06NSATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 139 W

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 139 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 92 ns

输入电容Ciss 5200pF @30VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 139W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Alternative Energy, Isolated DC-DC converters, Industrial, Synchronous rectification, 电源管理, Or-ing switches, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 替代能源

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSC016N06NSATMA1引脚图与封装图
BSC016N06NSATMA1引脚图

BSC016N06NSATMA1引脚图

BSC016N06NSATMA1封装图

BSC016N06NSATMA1封装图

BSC016N06NSATMA1封装焊盘图

BSC016N06NSATMA1封装焊盘图

在线购买BSC016N06NSATMA1
型号 制造商 描述 购买
BSC016N06NSATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSC016N06NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V 搜索库存
替代型号BSC016N06NSATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSC016N06NSATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 30A

当前型号

INFINEON  BSC016N06NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V

当前型号

型号: BSC034N06NSATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TDSON-8 N-CH 60V 100A

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