极性 N-CH
耗散功率 200 W
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 75A
输入电容Ciss 4307pF @25VVds
额定功率Max 200 W
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BUK9610-55A,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 55V 75A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BUK9610-55A,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: D2PAK N-CH 55V 75A | 当前型号 | D2PAK N-CH 55V 75A | 当前型号 | |
型号: STB60NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 60V 60A 14mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V | BUK9610-55A,118和STB60NF06LT4的区别 | |
型号: STB60N55F3 品牌: 意法半导体 封装: TO-263-3 N-Channel 55V 56A 8.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | BUK9610-55A,118和STB60N55F3的区别 | |
型号: BUK9610-55A 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FET | BUK9610-55A,118和BUK9610-55A的区别 |