BD645-S
数据手册.pdf
Bourns J.W. Miller
伯恩斯
分立器件
BD645-S中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 62.5 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 750 @3A, 3V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 62500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BD645-S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BD645-S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD645-S 品牌： Bourns J.W. Miller 伯恩斯 封装： TO-220 NPN | 当前型号 | 达林顿晶体管 60V 8A NPN | 当前型号 |
| 型号： 2N6043G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 60V 8A 75000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N6043G. 达林顿双极晶体管 | BD645-S和2N6043G的区别 |
| 型号： TIP100G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 60V 8A 2000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR TIP100G 达林顿双极晶体管 | BD645-S和TIP100G的区别 |
| 型号： BD645 品牌： 伯恩斯 封装： | 功能相似 | NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS | BD645-S和BD645的区别 |