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BSC032N04LSATMA1

BSC032N04LSATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V

Summary of Features:

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Excellent gate charge x R DSon product FOM
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Very low on-resistance R DSon
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Ideal for fast switching applictions
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RoHS compliant - halogen free
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MSL1 rated

Benefits:

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Highest system efficiency
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Less paralleling required
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Increased power density
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System cost reduction
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Very low voltage overshoot
BSC032N04LSATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 52 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0025 Ω

极性 N-CH

耗散功率 52 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 1800pF @20VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

BSC032N04LSATMA1引脚图与封装图
BSC032N04LSATMA1引脚图

BSC032N04LSATMA1引脚图

BSC032N04LSATMA1封装图

BSC032N04LSATMA1封装图

BSC032N04LSATMA1封装焊盘图

BSC032N04LSATMA1封装焊盘图

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BSC032N04LSATMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存