BULD742CT4中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 45000 mW
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 25 @800mA, 3V
额定功率Max 45 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 45000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BULD742CT4引脚图与封装图
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在线购买BULD742CT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BULD742CT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS BULD742CT4 晶体管, IGBT与功率, 双极性 | 搜索库存 |
替代型号BULD742CT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BULD742CT4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-252-3 NPN 45000mW | 当前型号 | STMICROELECTRONICS BULD742CT4 晶体管, IGBT与功率, 双极性 | 当前型号 |
| 型号： BUJ302AD,118 品牌： We En Semiconductor 封装： DPAK NPN 80000mW | 功能相似 | BUJ302AD,118 编带 | BULD742CT4和BUJ302AD,118的区别 |