BFP740FESDH6327XTSA1

INFINEON  BFP740FESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE

SiGe 射频双极，

来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。

欧时:
Infineon BFP740FESDH6327XTSA1 , NPN 硅锗双极晶体管, 45 mA, Vce=4.2 V, HFE:160, 47 GHz, 4引脚 TSFP封装

得捷:
RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP

e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE

艾睿:
If you are dealing with high radio frequency input power, Infineon Technologies&s; BFP740FESDH6327XTSA1 RF bi-polar junction transistor is for you. This RF transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

安富利:
Trans GP BJT NPN 4.2V 0.045A 4-Pin TSFP T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 4.2V 0.045A 4-Pin TSFP T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin TSFP T/R

Newark:
# INFINEON  BFP740FESDH6327XTSA1  Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160

Win Source:
TRANS RF NPN 42GHZ 4.7V SOT343