BSZ067N06LS3GATMA1
数据手册.pdfINFINEON BSZ067N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.7 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
立创商城:
N沟道 60V 20A 14A
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ067N06LS3GATMA1, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 20 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSZ067N06LS3GATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.7 V