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BUJ303B,127

BUJ303B,127

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

Trans GP BJT NPN 400V 5A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail

Bipolar BJT Transistor NPN 400 V 5 A - 100 W Through Hole TO-220AB


得捷:
NOW WEEN - BUJ303B - POWER BIPOL


艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
NOW WEEN - BUJ303B - POWER BIPOL / Bipolar BJT Transistor NPN 400 V 5 A 100 W Through Hole TO-220AB


BUJ303B,127中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 400 V

最小电流放大倍数hFE 23 @800mA, 3V

额定功率Max 100 W

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BUJ303B,127引脚图与封装图
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BUJ303B,127 NXP 恩智浦 Trans GP BJT NPN 400V 5A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail 搜索库存