AZ809NSTR-E1
数据手册.pdfDiodes(美台)
主动器件
AZ809NSTR-E1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 320 mW
阈值电压 2.93 V
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 320 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AZ809NSTR-E1引脚图与封装图
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在线购买AZ809NSTR-E1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AZ809NSTR-E1 | Diodes 美台 | 监控电路 Reset Generator | 搜索库存 |
替代型号AZ809NSTR-E1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AZ809NSTR-E1 品牌： Diodes 美台 封装： TSSOP | 当前型号 | 监控电路 Reset Generator | 当前型号 |
| 型号： AZ809ANSTR-E1 品牌： 美台 封装： TSSOP | 完全替代 | Processor Supervisor 2.63V 1 Active Low 3Pin SOT-23 T/R | AZ809NSTR-E1和AZ809ANSTR-E1的区别 |