APT8020B2FLLG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT8020B2FLLG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 38.0 A
输入电容 5.20 nF
栅电荷 195 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 38.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 5200pF @25VVds
额定功率Max 694 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 694000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 T-MAX-3
外形尺寸
封装 T-MAX-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT8020B2FLLG引脚图与封装图
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在线购买APT8020B2FLLG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT8020B2FLLG | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin3+Tab T-MAX | 搜索库存 |
替代型号APT8020B2FLLG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT8020B2FLLG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： T-MAX 800V 38A 5.2nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin3+Tab T-MAX | 当前型号 |
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