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APT8014L2FLLG

APT8014L2FLLG

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功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The power MOSFET from provides the solution. Its maximum power dissipation is 893000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

APT8014L2FLLG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 52.0 A

极性 N-CH

耗散功率 893 W

输入电容 7.24 nF

栅电荷 285 nC

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 52.0 A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 7238pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 893000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264

外形尺寸

封装 TO-264

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT8014L2FLLG引脚图与封装图
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在线购买APT8014L2FLLG
型号 制造商 描述 购买
APT8014L2FLLG Microsemi 美高森美 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. 搜索库存
替代型号APT8014L2FLLG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： APT8014L2FLLG

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-264 N-CH 800V 52A 7.24nF

当前型号

功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

当前型号

型号： APT8014L2FLL

品牌： 美高森美

封装：

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功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

APT8014L2FLLG和APT8014L2FLL的区别