AON7812

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体主动器件

DFN N-CH 30V 6A

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 30V 6A 4.1W 表面贴装型 8-DFN（3x3）

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DFN EP

Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 6A / RoHS and Halogen-Free Compliant

AON7812中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6A

输入电容Ciss 600pF @15VVds

额定功率Max 4.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerSMD-8

外形尺寸

封装 PowerSMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AON7812引脚图与封装图

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