APTSM120TAM33CTPAG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
APTSM120TAM33CTPAG中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.5 V
漏源极电阻 27 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 714 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1200 V
连续漏极电流Ids 112A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 7680pF @1000VVds
额定功率Max 714 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 714000 mW
封装参数
引脚数 23
封装 SP6-P
外形尺寸
封装 SP6-P
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTSM120TAM33CTPAG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTSM120TAM33CTPAG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTSM120TAM33CTPAG | Microsemi 美高森美 | N-CH 1200V 112A | 搜索库存 |