APTMC120AM16CD3AG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
APTMC120AM16CD3AG中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 625000 mW
漏源极电压Vds 1200 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 4750pF @1000VVds
额定功率Max 625 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625000 mW
封装参数
引脚数 7
封装 D-3
外形尺寸
封装 D-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTMC120AM16CD3AG引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| APTMC120AM16CD3AG | Microsemi 美高森美 | MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 | 搜索库存 |