2SK2401

2SK2401 N沟道MOSFET 200V 15A TO-263 marking/标记 K2401 4V栅极驱动/低漏源导通电阻/高正向转移导纳/低漏电流

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 200V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 15A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.13Ω/Ohm @10A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.5-3.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 75W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type π−MOSV Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications Features Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications 4 V gate drive Low drain−source ON resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement−mode 描述与应用| 场效应晶体管的硅N沟道MOS类型（π-MOSV） 斩波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用 特性 硅N沟道MOS型 斩波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动 应用 4 V栅极驱动 低漏源导通电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强型