2SJ439
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Toshiba
东芝
分立器件
2SJ439 P沟道MOS场效应管 -16V -5A 0.14ohm SOT-252 marking/标记 J439 低导通电阻 2.5V驱动
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -16V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.14Ω @-2.5A,-4V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.5--1.1V 耗散功率PdPower Dissipation| 20W Description & Applications| 2.5 V gate drive Low drain−source ON resistance : RDS ON = 0.18 Ω typ. High forward transfer admittance : |Yfs| = 6.0 S typ. Low leakage current : IDSS = −100 µA max VDS = −16 V Enhancement−mode : Vth = −0.5~−1.1 V VDS = −10 V, ID = −1 mA 描述与应用| 2.5 V门极驱动器 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.18Ω典型值） 高正向转移导纳：| YFS|= 6.0 S（典型值） 低漏电流：IDSS=-100μA（最大值（VDS=-16 V） 增强模式：VTH =-0.5〜-1.1 V（VDS= -10 V，ID=-1毫安）