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2SJ200
Toshiba 东芝 电子元器件分类

P CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION

High Power Amplifier Application

  High breakdown voltage  : VDSS= −180 V

  High forward transfer admittance  : |Yfs| = 4.0 S typ.

  Complementary to 2SK1529


2SJ200中文资料参数规格
其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SJ200引脚图与封装图
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2SJ200 Toshiba 东芝 P CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION 搜索库存
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型号: 2SJ200

品牌: Toshiba 东芝

封装:

当前型号

P CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION

当前型号

型号: 2SJ115

品牌: 东芝

封装:

功能相似

TRANSISTOR 8 A, 160 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

2SJ200和2SJ115的区别