2SK3561
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
额定电压DC 500 V
额定电流 8.00 A
通道数 1
漏源极电阻 850 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40.0 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 26.0 ns
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
高度 15 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
2SK3561引脚图
2SK3561封装图
2SK3561封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SK3561 | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3Pin3+Tab TO-220NIS | 搜索库存 |