极性 N-CH
耗散功率 30W Tc
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 3A
输入电容Ciss 600pF @10VVds
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准 无铅
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SK2943 品牌: Sanken Electric 三垦电气 封装: TO N-CH 900V 3A | 当前型号 | TO-220F N-CH 900V 3A | 当前型号 | |
型号: 2SK2803 品牌: 三垦电气 封装: TO N-CH 450V 3A | 类似代替 | TO-220F N-CH 450V 3A | 2SK2943和2SK2803的区别 | |
型号: IXFH30N50Q3 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-CH 500V 30A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 2SK2943和IXFH30N50Q3的区别 | |
型号: APT5020BVFRG 品牌: 美高森美 封装: TO-247 N-CH 500V 26A 4.44nF | 功能相似 | TO-247 N-CH 500V 26A | 2SK2943和APT5020BVFRG的区别 |