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2SK3270-01

2SK3270-01

数据手册.pdf
FUJI 富士电机 分立器件

TO-220AB N-CH 60V 80A

**Features:**

* FAP-III = Logic Level, High Avalanche Ruggedness

* FAP-IIS = VGS ±35 V, VGSth 4.0 ±0.5 V

* FAP-IIA = Reduced Turn Off Time

* FAP-IIIBH = High Speed Non Logic

* FAP-IIIB = Logic Level, VGSth 1.5 ±0.5 V

* FAP-G = Ultra Fast Switching

* Trench Gate Series = Ultra Low On-Resistance`


Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 60V; RDSON 5 Milliohms; ID +/-80A; TO-220; PD 135W; VGS +/-


2SK3270-01中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 6.5 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 135 W

输入电容 9000pF @25V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 80A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

2SK3270-01引脚图与封装图
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SK3270-01

品牌: FUJI 富士电机

封装: TO-220AB N-CH 60V 80A

当前型号

TO-220AB N-CH 60V 80A

当前型号

型号: 2SK2943

品牌: 急速微电子

封装:

类似代替

Power Field-Effect Transistor, TO-220AB, TO-220F, FM20, 3 PIN

2SK3270-01和2SK2943的区别

型号: FDA28N50F

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-3P-3 N-CH 500V 28A

功能相似

UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

2SK3270-01和FDA28N50F的区别

型号: IXFH30N50Q3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 N-CH 500V 30A

功能相似

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

2SK3270-01和IXFH30N50Q3的区别