2SK2736-E

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features

• Low on-resistance

RDSon = 20 mΩ typ. VGS = 10 V, ID = 15 A

• 4 V gate drive devices.

• High speed switching

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2SK2736-E

2SK2736-E中文资料参数规格

封装参数

封装 -

外形尺寸

封装 -

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK2736-E引脚图与封装图

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