2SJ76-E

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

Description

High frequency and low frequency power amplifier, high speed power switching

Complementary pair with 2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216

Features

• Suitable for direct mounting

• High forward transfer admittance

• Excellent frequency response

• Enhancement-mode

艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 140V 0.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

罗切斯特:
Trans MOSFET P-CH 140V 0.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Box

2SJ76-E中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 140 V

连续漏极电流Ids 0.5A

输入电容Ciss 120pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SJ76-E引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
2SJ76-E	Renesas Electronics 瑞萨电子	硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET	搜索库存

替代型号2SJ76-E

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 2SJ76-E 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子封装： TO-220AB P-CH 140V 0.5A	当前型号	硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET	当前型号
型号： 2SJ77 品牌：瑞萨电子封装： TO-220 P-CH 160V 500mA 120pF	类似代替	硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET	2SJ76-E和2SJ77的区别
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