2SJ451ZK-TL-E
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
电子元器件分类
2SJ451ZK-TL-E中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.2A
封装参数
封装 -
外形尺寸
封装 -
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SJ451ZK-TL-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SJ451ZK-TL-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SJ451ZK-TL-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 搜索库存 |