2SJ130L-E
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
2SJ130L-E中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 1A
封装参数
封装 DPAK-3
外形尺寸
封装 DPAK-3
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SJ130L-E引脚图与封装图
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在线购买2SJ130L-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SJ130L-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 搜索库存 |
替代型号2SJ130L-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SJ130L-E 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： DPAK-3 P-CH 300V 1A | 当前型号 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 当前型号 |
| 型号： 2SJ130L 品牌： 瑞萨电子 封装： | 功能相似 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 2SJ130L-E和2SJ130L的区别 |
