频率 20 MHz
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 200 V
最小电流放大倍数hFE 50 @8A, 4V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ESIP-3
封装 ESIP-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SC3858 | Sanken Electric 三垦电气 | Power Bipolar Transistor, 17A IC, 200V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3Pin, MT-200, 3Pin | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SC3858 品牌: Sanken Electric 三垦电气 封装: 3-ESIP | 当前型号 | Power Bipolar Transistor, 17A IC, 200V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3Pin, MT-200, 3Pin | 当前型号 | |
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