2SA1386A
数据手册.pdf
Sanken Electric
三垦电气
分立器件
2SA1386A中文资料参数规格
技术参数
频率 40 MHz
耗散功率 130 W
击穿电压集电极-发射极 180 V
最小电流放大倍数hFE 50 @5A, 4V
额定功率Max 130 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SA1386A引脚图与封装图 
2SA1386A引脚图
2SA1386A封装焊盘图
在线购买2SA1386A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SA1386A | Sanken Electric 三垦电气 | Power Bipolar Transistor, 15A IC, 180V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3Pin, MT-100, TO-3P, 3Pin | 搜索库存 |
替代型号2SA1386A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SA1386A 品牌： Sanken Electric 三垦电气 封装： TO 130000mW | 当前型号 | Power Bipolar Transistor, 15A IC, 180V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3Pin, MT-100, TO-3P, 3Pin | 当前型号 |