2SK1772HYTR-E

Renesas Electronics 瑞萨电子主动器件

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

Features

• Low on-resistance

• High speed switching

• Low drive current

• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source.

• Suitable for DC-DC converter, motor drive, power switch, solenoid drive

Application

High speed power switching

立创商城:
2SK1772HYTR-E

Win Source:
Silicon N Channel MOS FET

2SK1772HYTR-E中文资料参数规格

封装参数

封装 SC-62

外形尺寸

封装 SC-62

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK1772HYTR-E引脚图与封装图

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