2SJ221-E
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
2SJ221-E中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 115 ns
输入电容Ciss 1800pF @10VVds
下降时间 170 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SJ221-E引脚图与封装图
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在线购买2SJ221-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SJ221-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 搜索库存 |
替代型号2SJ221-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SJ221-E 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： TO-220AB P-CH 100V 20A | 当前型号 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 当前型号 |
| 型号： 2SJ221 品牌： 瑞萨电子 封装： | 功能相似 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 2SJ221-E和2SJ221的区别 |