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2SD1221-Y
Toshiba 东芝 分立器件

NPN三极管 60V 3A 3GHz 100~200 400mV TO-252 代码 D1221 音频功放

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 3GHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Silicon NPN triple diffused type audio frequency power amplifier application features
.
low collector saturation voltage: Vcesat=0.4V *high power dissipation:Pc=20W 描述与应用| 硅NPN三重扩散类型 音频功放中的应用 特点 *低集电极饱和电压VCE(饱和)=0.4V *高功耗PC =20W
2SD1221-Y中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

耗散功率Max 1 W

封装参数

封装 PW-MOLD

外形尺寸

封装 PW-MOLD

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SD1221-Y引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2SD1221-Y Toshiba 东芝 NPN三极管 60V 3A 3GHz 100~200 400mV TO-252 代码 D1221 音频功放 搜索库存
替代型号2SD1221-Y
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SD1221-Y

品牌: Toshiba 东芝

封装: TO-252/DPAK/PW-Mold NPN

当前型号

NPN三极管 60V 3A 3GHz 100~200 400mV TO-252 代码 D1221 音频功放

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型号: 2SD1221-GR

品牌: 东芝

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完全替代

2SD1221-GR NPN三极管 60V 3A 3GHz 150~300 400mV/0.4V TO-252/DPAK/PW-Mold marking/标记 D1221 音频功放

2SD1221-Y和2SD1221-GR的区别

型号: 2SD1221

品牌: 东芝

封装: New NPN

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