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2SCR513RTL

2SCR513RTL

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

单晶体管 双极, NPN, 50 V, 500 mW, 1 A, 180 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN 50 V 1 A 360MHz 500 mW Surface Mount TSMT3


得捷:
TRANS NPN 50V 1A TSMT3


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NPN 50V 1A


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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Trans GP BJT NPN 50V 1A


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Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TSMT T/R


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Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TSMT T/R


2SCR513RTL中文资料参数规格
技术参数

频率 360 MHz

额定功率 0.5 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 180

直流电流增益hFE 180

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TSMT-3

外形尺寸

封装 TSMT-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SCR513RTL引脚图与封装图
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