2SK3658TE12L,F

Toshiba 东芝分立器件

MOSFET N 通道 π-MOS 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET N 通道，2SK 系列，

欧时:
Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK3658TE12L,F, 2 A, Vds=60 V, 4引脚 PW Mini封装

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin3+Tab PW-Mini T/R

2SK3658TE12L,F中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2A

输入电容Ciss 140pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 PW-MINI

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.6 mm

封装 PW-MINI

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK3658TE12L,F引脚图与封装图

暂无图片

在线购买2SK3658TE12L,F

型号	制造商	描述	购买
2SK3658TE12L,F	Toshiba 东芝	MOSFET N 通道 π-MOS 系列，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba	搜索库存